Semicerak tantalio karburoa (TaC) estaldura espezializatuak eskaintzen ditu hainbat osagai eta garraiolarirentzat.Semicera-ren estaldura-prozesu nagusiak tantalio karburoa (TaC) estaldurei garbitasun handia, tenperatura altuko egonkortasuna eta tolerantzia kimiko handia lortzeko aukera ematen die, SIC/GAN kristalen eta EPI geruzen produktuen kalitatea hobetuz (Grafitoz estalitako TaC susceptor), eta erreaktoreen osagai nagusien bizitza luzatzea. Tantalo karburoaren TaC estaldura erabiltzea ertzaren arazoa konpontzeko eta kristalen hazkuntzaren kalitatea hobetzeko da, eta Semicerak aurrerapausoa eman du tantalio karburoaren estalduraren teknologia (CVD), nazioarteko maila aurreratura iritsiz.
Urteetako garapenaren ondoren, Semicerak teknologia konkistatu duCVD TaCI+G sailaren baterako ahaleginarekin. Akatsak erraz gertatzen dira SiC obleen hazkuntza-prozesuan, baina erabili ondorenTaC, aldea nabarmena da. Jarraian, TaC duten eta gabeko obleen konparaketa dago, baita kristal bakarreko hazkuntzarako Semicera' zatiak ere
TaC-arekin eta gabe
TaC erabili ondoren (eskuinean)
Horrez gain, Semicera-ren TaC estaldura-produktuen bizitza luzeagoa eta tenperatura altuarekiko erresistenteagoa da SiC estaldurarena baino. Laborategiko neurketa-datuen denbora luzez, gure TaC-k denbora luzez lan egin dezake gehienez 2300 gradu Celsius-etan. Honako hauek dira gure laginetako batzuk:
(a) SiC kristal bakarreko lingote hazteko gailuaren diagrama eskematikoa PVT metodoaren bidez (b) Goiko TaC estalitako haziaren euskarria (SiC hazia barne) (c) TAC estalitako grafitozko gida-eraztuna
