-ren oinarrizko osagaietako bat bezalaMOCVD ekipamendua, grafitoaren oinarria substratuaren eramailea eta berokuntza-gorputza da, filmaren materialaren uniformetasuna eta purutasuna zuzenean zehazten duena, beraz, bere kalitateak zuzenean eragiten dio xafla epitaxialaren prestaketari, eta, aldi berean, kopuruaren gehikuntzarekin. erabilerak eta lan baldintzen aldaketa, oso erraza da janztea, kontsumigarriena.
Grafitoak eroankortasun termiko eta egonkortasun bikainak baditu ere, abantaila ona du oinarrizko osagai gisaMOCVD ekipamendua, baina ekoizpen-prozesuan, grafitoak hautsa herdoilduko du gas korrosiboen eta organiko metalikoen hondakinen ondorioz, eta grafito-oinarriaren iraupena asko murriztuko da.Aldi berean, erortzen den grafito hautsak txiparen kutsadura eragingo du.
Estaldura-teknologiaren sorrerak gainazaleko hautsaren finkapena eman dezake, eroankortasun termikoa hobetu eta beroaren banaketa berdindu, arazo hori konpontzeko teknologia nagusia bihurtu baita.Grafitozko oinarria barruanMOCVD ekipamenduaErabili ingurunea, grafitozko oinarriaren gainazaleko estaldurak ezaugarri hauek bete behar ditu:
(1) Grafitozko oinarria guztiz bilduta egon daiteke, eta dentsitatea ona da, bestela, grafitozko oinarria gas korrosiboan herdoiltzen da.
(2) Grafitoaren oinarriaren konbinazio-indarra handia da estaldura tenperatura altuko eta tenperatura baxuko hainbat zikloren ondoren estaldura ez dela erraza erortzen ziurtatzeko.
(3) Egonkortasun kimiko ona du estalduraren porrota saihesteko tenperatura altuetan eta atmosfera korrosiboan.
SiC-k korrosioarekiko erresistentzia, eroankortasun termiko handia, shock termikoarekiko erresistentzia eta egonkortasun kimiko handiko abantailak ditu eta GaN epitaxial atmosferan ondo funtziona dezake.Horrez gain, SiC-ren hedapen termikoaren koefizientea grafitoarenarekin oso gutxi desberdina da, beraz, SiC da grafito-oinarriaren gainazaleko estaldurarako material hobetsia.
Gaur egun, SiC arrunta 3C, 4H eta 6H motakoa da batez ere, eta kristal mota ezberdinen SiC erabilera desberdinak dira.Adibidez, 4H-SiC-ek potentzia handiko gailuak fabrika ditzake;6H-SiC egonkorrena da eta gailu fotoelektrikoak fabrika ditzake;GaN-ren antzeko egitura dela eta, 3C-SiC GaN geruza epitaxiala ekoizteko eta SiC-GaN RF gailuak fabrikatzeko erabil daiteke.3C-SiC izenez ere ezaguna daβ-SiC, eta erabilera garrantzitsuaβ-SiC film eta estaldura material gisa da, berazβ-Gaur egun SiC da estaldurarako material nagusia.
Argitalpenaren ordua: 2023-06-2023