Gaur egungo teknologia elektronikoaren arloan, material erdieroaleek zeregin erabakigarria dute.Horien artean, silizio karburoa (SiC) banda zabaleko erdieroalearen material gisa, bere errendimendu abantaila bikainak dituena, hala nola matxura handiko eremu elektrikoa, saturazio abiadura handia, eroankortasun termiko handia, etab., ikertzaile eta ingeniarien ardatz bihurtzen ari da pixkanaka.Siliziozko karburozko disko epitaxialak, haren zati garrantzitsu gisa, aplikazio potentzial handia erakutsi du.
一、Disko epitaxialaren errendimendua: abantaila guztiak
1. Matxura handiko eremu elektrikoa: siliziozko material tradizionalekin alderatuta, silizio karburoaren matxura eremu elektrikoa 10 aldiz baino gehiago da.Horrek esan nahi du tentsio-baldintza berdinetan, silizio-karburozko disko epitaxialak erabiltzen dituzten gailu elektronikoek korronte handiagoak jasan ditzaketela, eta, ondorioz, tentsio handiko, maiztasun handiko eta potentzia handiko gailu elektronikoak sortuz.
2. Abiadura handiko saturazio-abiadura: silizio-karburoaren saturazio-abiadura silizioarena baino 2 aldiz handiagoa da.Tenperatura altuan eta abiadura handian funtzionatzen du, siliziozko karburozko disko epitaxialak hobeto funtzionatzen du, eta horrek nabarmen hobetzen du gailu elektronikoen egonkortasuna eta fidagarritasuna.
3. Eraginkortasun handiko eroankortasun termikoa: silizio karburoaren eroankortasun termikoa silizioarena baino 3 aldiz handiagoa da.Ezaugarri honi esker, gailu elektronikoek beroa hobeto xahutzen dute potentzia handiko funtzionamendu etengabean, eta, horrela, berotzea saihestu eta gailuaren segurtasuna hobetzen da.
4. Egonkortasun kimiko bikaina: muturreko inguruneetan, hala nola, tenperatura altua, presio handia eta erradiazio indartsua, silizio karburoaren errendimendua lehen bezala egonkorra da.Ezaugarri honi esker, silizio-karburoko disko epitaxialak errendimendu bikaina mantentzea ahalbidetzen du ingurune konplexuen aurrean.
二、fabrikazio prozesua: kontu handiz landua
SIC disko epitaxiala fabrikatzeko prozesu nagusiak lurrun-jadapen fisikoa (PVD), lurrun-jadatze kimikoa (CVD) eta hazkunde epitaxiala dira.Prozesu horietako bakoitzak bere ezaugarriak ditu eta hainbat parametroren kontrol zehatza eskatzen du emaitza onenak lortzeko.
1. PVD prozesua: lurrunketa edo sputtering eta beste metodo batzuen bidez, SiC helburua substratuan metatzen da film bat osatzeko.Metodo honen bidez prestatutako filmak garbitasun handia eta kristalintasun ona ditu, baina ekoizpen-abiadura nahiko motela da.
2. CVD prozesua: silizio karburoaren iturriko gasa tenperatura altuan pitzatuz, substratuan metatzen da film mehe bat osatzeko.Metodo honen bidez prestatutako filmaren lodiera eta uniformetasuna kontrolagarriak dira, baina garbitasuna eta kristalintasuna eskasak dira.
3. Hazkunde epitaxiala: SiC geruza epitaxialaren hazkuntza silizio monokristalino edo beste material monokristalino batzuen gainean, lurrun-deposizio kimikoen metodoaren bidez.Metodo honen bidez prestatutako geruza epitaxialak parekatze ona eta errendimendu bikaina ditu substratuaren materialarekin, baina kostua nahiko altua da.
三、Aplikazio-perspektiba: argitu etorkizuna
Potentzia elektronikaren teknologiaren etengabeko garapenarekin eta errendimendu handiko eta fidagarritasun handiko gailu elektronikoen eskaera gero eta handiagoarekin, silizio karburoko disko epitaxialak aplikazio zabala du erdieroaleen gailuen fabrikazioan.Asko erabiltzen da maiztasun handiko potentzia handiko erdieroaleen gailuen fabrikazioan, hala nola potentzia-etengailu elektronikoak, inbertsoreak, zuzengailuak, etab. Horrez gain, eguzki-zeluletan, LEDetan eta beste eremu batzuetan ere oso erabilia da.
Errendimendu-abantaila paregabeekin eta fabrikazio-prozesuaren etengabeko hobekuntzarekin, silizio-karburoko disko epitaxialak pixkanaka-pixkanaka bere potentzial handia erakusten ari da erdieroaleen eremuan.Zientziaren eta teknologiaren etorkizunean paper garrantzitsuagoa izango dela sinesteko arrazoiak ditugu.
Argitalpenaren ordua: 2023-12-28