Gure enpresak eskaintzen duSiC estalduraProzesatu zerbitzuak grafito, zeramika eta beste materialen gainazalean CVD metodoaren bidez, karbonoa eta silizioa duten gas bereziek tenperatura altuan erreakzionatu ahal izateko, purutasun handiko Sic molekulak lortzeko, material estalien gainazalean metatu daitezkeenak bat sortzeko.SiC babes-geruzaupel mota hipnotikorako.
Ezaugarri nagusiak:
1 .Araztasun handiko SiC estalitako grafitoa
2. Beroarekiko erresistentzia eta uniformetasun termikoa
3. OndoSiC kristalez estalitagainazal leun baterako
4. Iraunkortasun handia garbiketa kimikoen aurka
-ren zehaztapen nagusiakCVD-SIC Estaldura
| SiC-CVD propietateak | ||
| Kristal Egitura | FCC β fasea | |
| Dentsitatea | g/cm³ | 3.21 |
| Gogortasuna | Vickers gogortasuna | 2500 |
| alearen tamaina | μm | 2~10 |
| Garbitasun kimikoa | % | 99,99995 |
| Bero Ahalmena | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimazio-tenperatura | ℃ | 2700 |
| Indar felesural | MPa (RT 4 puntu) | 415 |
| Gazteen Modulua | Gpa (4 puntuko bihurgunea, 1300 ℃) | 430 |
| Hedapen termikoa (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Eroankortasun termikoa | (W/mK) | 300 |
-
CVD SiC estaldura Epitaxial deposizio epitaxia...
-
Silizio karburozko ontzia
-
2 hazbeteko grafitozko oinarri MOCVD ekipamenduko 19 pieza...
-
ALD Geruza Atomikoa Deposizio Planetario Susceptor
-
Eremu termikoko materiala silizio karburozko kristaletarako...
-
Silizio-karburoa estalitako erreaktore epitaxialeko upela