CVD SiC Estaldura Epitaxial Deposizio Epitaxia Erreaktore Sisteman

Deskribapen laburra:

Semicerak hainbat epitaxi-erreaktoretarako diseinatutako suszeptore eta grafito-osagaien sorta zabala eskaintzen du.

Industriako lider diren OEMekin lankidetza estrategikoen bidez, materialen esperientzia zabalaren eta fabrikazio gaitasun aurreratuen bidez, Semicerak neurrira egindako diseinuak eskaintzen ditu zure aplikazioaren eskakizun zehatzak betetzeko. Bikaintasunarekiko dugun konpromisoak zure epitaxia-erreaktoreen beharretarako soluzio optimoak jasoko dituzula ziurtatzen du.

Bidali mezu elektronikoa

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

Gure enpresak eskaintzen duSiC estalduraProzesatu zerbitzuak grafito, zeramika eta beste materialen gainazalean CVD metodoaren bidez, karbonoa eta silizioa duten gas bereziek tenperatura altuan erreakzionatu ahal izateko, purutasun handiko Sic molekulak lortzeko, material estalien gainazalean metatu daitezkeenak bat sortzeko.SiC babes-geruzaupel mota hipnotikorako.

Ezaugarri nagusiak:

1 .Araztasun handiko SiC estalitako grafitoa

2. Beroarekiko erresistentzia eta uniformetasun termikoa

3. OndoSiC kristalez estalitagainazal leun baterako

4. Iraunkortasun handia garbiketa kimikoen aurka

CVD Deposizio Epitaxiala Barril Erreaktorean

-ren zehaztapen nagusiakCVD-SIC Estaldura

SiC-CVD propietateak
Kristal Egitura	FCC β fasea
Dentsitatea	g/cm³	3.21
Gogortasuna	Vickers gogortasuna	2500
alearen tamaina	μm	2~10
Garbitasun kimikoa	%	99,99995
Bero Ahalmena	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimazio-tenperatura	℃	2700
Indar felesural	MPa (RT 4 puntu)	415
Gazteen Modulua	Gpa (4 puntuko bihurgunea, 1300 ℃)	430
Hedapen termikoa (CTE)	10-6K-1	4.5
Eroankortasun termikoa	(W/mK)	300