Txinako obleen fabrikatzaileak, hornitzaileak, fabrika
Zer da oblea erdieroalea?
Erdieroaleen oblea material erdieroalearen zati mehe eta biribil bat da, zirkuitu integratuak (IC) eta beste gailu elektroniko batzuk fabrikatzeko oinarri gisa balio duena. Obleak gainazal lau eta uniforme bat eskaintzen du eta bertan hainbat osagai elektroniko eraikitzen dira.
Obleak fabrikatzeko prozesuak hainbat urrats hartzen ditu, besteak beste, nahi den material erdieroalearen kristal bakar handi bat haztea, kristala xafla meheetan zatitzea diamante-zerra erabiliz eta, ondoren, obleak leuntzea eta garbitzea gainazaleko akatsak edo ezpurutasunak kentzeko. Lortutako obleek gainazal oso laua eta leuna dute, eta hori funtsezkoa da ondorengo fabrikazio prozesuetarako.
Obleak prestatu ondoren, erdieroaleen fabrikazio-prozesu batzuk jasaten dituzte, hala nola fotolitografia, akuafortea, deposizioa eta dopatzea, osagai elektronikoak eraikitzeko behar diren eredu eta geruza korapilatsuak sortzeko. Prozesu hauek hainbat aldiz errepikatzen dira oblea bakarrean, zirkuitu integratu anitz edo beste gailu batzuk sortzeko.
Fabrikazio-prozesua amaitu ondoren, banakako txipak banandu egiten dira oblea aurrez zehaztutako lerroetan zatituz. Ondoren banandutako txipak paketatzen dira babesteko eta gailu elektronikoetan integratzeko konexio elektrikoak emateko.
Material desberdinak oblean
Erdieroaleen obleak kristal bakarreko silizioz egiten dira batez ere, bere ugaritasunagatik, propietate elektriko bikainengatik eta erdieroaleen fabrikazio prozesu estandarrekin bateragarri direlako. Hala ere, aplikazio eta eskakizun zehatzen arabera, beste material batzuk ere erabil daitezke obleak egiteko. Hona hemen adibide batzuk:
Silizio karburoa (SiC) banda zabaleko material erdieroalea da, material tradizionalen aldean propietate fisiko hobeak eskaintzen dituena. Gailu, modulu eta sistema osoen tamaina eta pisua murrizten laguntzen du, eraginkortasuna hobetzen duen bitartean.
SiC-ren funtsezko ezaugarriak:
- - Banda zabala:SiC-ren banda-aldea silizioarena baino hiru aldiz handiagoa da, eta tenperatura altuagoetan funtzionatzeko aukera ematen du, 400 °C arte.
- -Matxura kritiko handiko eremua:SiC-k silizioaren eremu elektrikoaren hamar aldiz jasan dezake, eta tentsio handiko gailuetarako aproposa da.
- -Eroankortasun termiko handia:SiC-k beroa modu eraginkorrean xahutzen du, gailuei funtzionamendu-tenperatura optimoak mantentzen laguntzen die eta haien bizitza luzatzen du.
- -Saturazio handiko elektroien desbideratze abiadura:Silizioaren deriba-abiaduraren bikoitza izanik, SiC-k kommutazio-maiztasun handiagoak ahalbidetzen ditu, gailuaren miniaturizazioan lagunduz.
Aplikazioak:
-
- Potentzia Elektronika:SiC potentzia-gailuek tentsio altuko, korronte handiko, tenperatura altuko eta maiztasun handiko inguruneetan nabarmentzen dira, energia bihurtzeko eraginkortasuna nabarmen hobetuz. Ibilgailu elektrikoetan, kargaguneetan, sistema fotovoltaikoetan, trenbide-garraioan eta sare adimendunetan oso erabiliak dira.
-
-Mikrouhinen komunikazioak:SiC-n oinarritutako GaN RF gailuak funtsezkoak dira hari gabeko komunikazio-azpiegituretarako, batez ere 5G oinarrizko estazioetarako. Gailu hauek SiC-ren eroankortasun termiko bikaina GaN-ren maiztasun handiko eta potentzia handiko RF irteerarekin konbinatzen dute, hurrengo belaunaldiko maiztasun handiko telekomunikazio-sareetarako hobetsitako aukera bihurtuz.
Galio nitruroa (GaN)hirugarren belaunaldiko banda zabaleko material erdieroalea da, banda hutsune handia, eroankortasun termiko handikoa, elektroien saturazio-abiadura handiko desbideratze-abiadura eta matxura-eremuaren ezaugarri bikainak dituena. GaN gailuek aplikazio-aukera zabalak dituzte maiztasun handiko, abiadura handiko eta potentzia handiko eremuetan, hala nola LED energia aurrezteko argiztapena, laser bidezko proiekzio-pantailak, ibilgailu elektrikoak, sare adimendunak eta 5G komunikazioak.
Galio arseniuroa (GaAs)material erdieroalea da maiztasun handiko, elektroien mugikortasun handiagatik, potentzia handiko irteeragatik, zarata baxuagatik eta linealtasun onagatik ezaguna. Optoelektronika eta mikroelektronika industrietan oso erabilia da. Optoelektronikan, GaAs substratuak LED (argi-diodoak), LD (laser diodoak) eta gailu fotovoltaikoak fabrikatzeko erabiltzen dira. Mikroelektronikan, MESFETak (metal-erdieroaleen eremu-efektuko transistoreak), HEMTak (elektroien mugikortasun handiko transistoreak), HBTak (heterojunkzio transistore bipolarrak), ICak (zirkuitu integratuak), mikrouhin-diodoak eta Hall efektuko gailuak ekoizten dira.
Indio fosfuroa (InP)III-V erdieroale konposatu garrantzitsuetako bat da, elektroien mugikortasun handiagatik, erradiazio-erresistentzia bikainagatik eta banda zabalagatik ezaguna. Optoelektronika eta mikroelektronika industrietan oso erabilia da.
