SOI Ostia

Deskribapen laburra:

SOI ostia hiru geruza dituen ogitarteko moduko egitura da; Goiko geruza (gailuaren geruza), lurperatutako oxigeno geruzaren erdialdea (SiO2 geruza isolatzailea) eta beheko substratua (silizio masiboa) barne. SOI obleak SIMOX metodoa eta oblea lotzeko teknologia erabiliz ekoizten dira, gailuen geruza finagoak eta zehatzagoak, lodiera uniformea eta akatsen dentsitate txikia ahalbidetzen dituena.

Bidali mezu elektronikoa

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

SOI obleak (1)

Aplikazio-eremua

1. Abiadura handiko zirkuitu integratua

2. Mikrouhin-labeak

3. Tenperatura handiko zirkuitu integratua

4. Potentzia-gailuak

5. Potentzia baxuko zirkuitu integratua

6. MEMEAK

7. Behe-tentsioko zirkuitu integratua

Elementua		Argudioa
Orokorrean	Oblearen diametroa 晶圆尺寸(mm)	50/75/100/125/150/200mm±25um
	Arku/Deforma 翘曲度(	<10um
	Partikulak 颗粒度(	0,3um<30ea
	Lauak/Notch 定位边/定位槽	Laua edo Notch
	Ertz-bazterketa 边缘去除(mm)	/
Gailu geruza 器件层	Gailu-geruza mota/Dopatzailea 器件层掺杂类型	N-mota/P-mota B/ P/ Sb / As
	Gailu-geruzaren orientazioa 器件层晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Gailu-geruza Lodiera 器件层厚度(um)	0,1 ~ 300um
	Gailu-geruzaren erresistentzia 器件层电阻率(ohm•cm)	0,001 ~ 100.000 ohm-cm
	Gailu-geruza Partikulak 器件层颗粒度(	<30ea@0.3
	Gailu geruza TTV 器件层TTV(	<10um
	Gailu geruzaren amaiera 器件层表面处理	Leundua
KUTXA	Ehortzitako oxido termikoen lodiera 埋氧层厚度(um)	50nm (500Å)~15um
Helduleku Geruza 衬底	Heldulekua Wafer Mota/Dopantea 衬底层类型	N-mota/P-mota B/ P/ Sb / As
	Heldulekua Wafer Orientazioa 衬底晶向	<1-0-0> / <1-1-1> / <1-1-0>
	Kudeatu obleen erresistentzia 衬底电阻率(ohm•cm)	0,001 ~ 100.000 ohm-cm
	Heldulekua Wafer lodiera 衬底厚度(um)	> 100um
	Heldulekua Wafer akabera 衬底表面处理	Leundua
Xedeko zehaztapenen SOI ostia pertsonalizatu daitezke bezeroen eskakizunen arabera.