Siliziozko oblea

Deskribapen laburra:

Semicera Silicon Waferak gailu erdieroale modernoen oinarria dira, garbitasun eta zehaztasun paregabeak eskainiz. Goi-teknologiako industrien eskakizun zorrotzei erantzuteko diseinatuta, ostia hauek errendimendu fidagarria eta kalitate koherentea bermatzen dute. Fidatu Semicera zure puntako aplikazio elektronikoetarako eta soluzio teknologiko berritzaileetarako.


Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

Semicera Silicon Waferak gailu erdieroale ugariren oinarri gisa lantzen dira, mikroprozesadoreetatik hasi eta zelula fotovoltaikoetaraino. Ostia hauek zehaztasun eta garbitasun handiz diseinatuta daude, hainbat aplikazio elektronikotan errendimendu optimoa bermatuz.

Teknika aurreratuak erabiliz fabrikatuta, Semicera Silicon Waferek aparteko lautasuna eta uniformetasuna erakusten dute, funtsezkoak direnak erdieroaleen fabrikazioan etekin handiak lortzeko. Zehaztasun maila honek akatsak gutxitzen eta osagai elektronikoen eraginkortasun orokorra hobetzen laguntzen du.

Semicera Silicon Wafers-en kalitate handiagoa nabarmena da bere ezaugarri elektrikoetan, gailu erdieroaleen errendimendu hobetzen laguntzen dutenak. Ezpurutasun maila baxuekin eta kristalen kalitate handian, ostia hauek errendimendu handiko elektronika garatzeko plataforma ezin hobea eskaintzen dute.

Tamaina eta zehaztapen ezberdinetan eskuragarri, Semicera Silicon Wafers industria ezberdinen behar espezifikoei erantzuteko egokitu daitezke, besteak beste, informatika, telekomunikazioak eta energia berriztagarriak. Eskala handiko fabrikaziorako edo ikerketa espezializatuetarako, ostia hauek emaitza fidagarriak eskaintzen dituzte.

Semicera-k erdieroaleen industriaren hazkundea eta berrikuntza bultzatzeko konpromisoa hartu du, industriako estandar altuenak betetzen dituzten kalitate handiko silizio-obleak eskainiz. Zehaztasuna eta fidagarritasuna ardatz hartuta, Semicerak fabrikatzaileei teknologiaren mugak gainditzeko aukera ematen die, beren produktuak merkatuan abangoardian egotea bermatuz.

Elementuak

Ekoizpena

Ikerketa

Manikoa

Kristal Parametroak

Politipoa

4H

Gainazalaren orientazio errorea

<11-20 >4±0,15°

Parametro elektrikoak

Dopatzailea

n motako nitrogenoa

Erresistentzia

0,015-0,025 ohm·cm

Parametro mekanikoak

Diametroa

150,0 ± 0,2 mm

Lodiera

350±25 μm

Orientazio lau nagusia

[1-100]±5°

Lehen mailako luzera laua

47,5±1,5 mm

Bigarren mailako pisua

Bat ere ez

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Arkua

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Aurrealdeko (Si-aurpegia) zimurtasuna (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Egitura

Mikrohodiaren dentsitatea

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Metalezko ezpurutasunak

≤5E10atomo/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Aurrealdeko Kalitatea

Aurrealdea

Si

Gainazaleko akabera

Si-face CMP

Partikulak

≤60ea/oblea (tamaina ≥0.3μm)

NA

Marradurak

≤5ea/mm. Luzera metatua ≤Diametroa

Luzera metatua≤2*Diametroa

NA

Laranja azala/hobiak/orbanak/striadurak/ pitzadurak/kutsadura

Bat ere ez

NA

Ertzaren txirbilak/koskak/hausturak/hexagonaleko plakak

Bat ere ez

Politipo eremuak

Bat ere ez

Azalera metatua≤% 20

Azalera metatua≤% 30

Aurrealdeko laser markaketa

Bat ere ez

Itzuli Kalitatea

Atzeko akabera

C-aurpegia CMP

Marradurak

≤5ea/mm, Luzera metatua ≤2*Diametroa

NA

Atzealdeko akatsak (ertz txirbilak/koskak)

Bat ere ez

Bizkarreko zakartasuna

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Atzeko laser bidezko markaketa

1 mm (goiko ertzetik)

Ertza

Ertza

Txanflarra

Enbalajea

Enbalajea

Epi-prest hutsean ontziratzearekin

Ostia anitzeko kasete ontziratzea

*Oharrak: "NA" esan nahi du ez dagoela eskaerarik Aipatutako elementuek SEMI-STD-i erreferentzia egin dezakete.

tech_1_2_tamaina
SiC obleak

  • Aurrekoa:
  • Hurrengoa: