Siliziozko substratua

Deskribapen laburra:

Semicera Silicon Substrates elektronika eta erdieroaleen fabrikazioko errendimendu handiko aplikazioetarako doitasunez diseinatuta daude. Aparteko garbitasun eta uniformitatearekin, substratu hauek prozesu teknologiko aurreratuei eusteko diseinatuta daude. Semicerak kalitate koherentea eta fidagarritasuna bermatzen ditu zure proiektu zorrotzenetarako.


Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

Semicera Silicon Substrates erdieroaleen industriaren eskakizun zorrotzei erantzuteko landuak dira, kalitate eta zehaztasun paregabeak eskainiz. Substratu hauek hainbat aplikaziotarako oinarri fidagarria eskaintzen dute, zirkuitu integratuetatik hasi eta zelula fotovoltaikoetaraino, errendimendu eta iraupen optimoa bermatuz.

Semicera Silicon Substrates-en purutasun handiak gutxieneko akatsak eta ezaugarri elektriko bikainak bermatzen ditu, eraginkortasun handiko osagai elektronikoak ekoizteko funtsezkoak direnak. Garbitasun maila honek energia galera murrizten eta gailu erdieroaleen eraginkortasun orokorra hobetzen laguntzen du.

Semicerak punta-puntako fabrikazio-teknikak erabiltzen ditu siliziozko substratuak ekoizteko, uniformetasun eta lautasun paregabeekin. Zehaztasun hori ezinbestekoa da erdieroaleen fabrikazioan emaitza koherenteak lortzeko, non aldakuntza txikienak ere gailuaren errendimenduan eta errendimenduan eragina izan dezakeen.

Tamaina eta zehaztapen ezberdinetan eskuragarri, Semicera Silicon Substrates-ek industria-behar ugari betetzen ditu. Puntako mikroprozesadoreak edo eguzki-panelak garatzen ari zaren ala ez, substratu hauek zure aplikazio zehatzerako behar den malgutasuna eta fidagarritasuna eskaintzen dute.

Semicera erdieroaleen industrian berrikuntza eta eraginkortasuna laguntzera bideratzen da. Kalitate handiko siliziozko substratuak eskainiz, fabrikatzaileei teknologiaren mugak gainditzea ahalbidetzen diegu, merkatuaren bilakaeraren eskakizunei erantzuten dieten produktuak emanez. Konfiantza ezazu Semicera zure belaunaldiko irtenbide elektroniko eta fotovoltaikoetarako.

Elementuak

Ekoizpena

Ikerketa

Manikoa

Kristal Parametroak

Politipoa

4H

Gainazalaren orientazio errorea

<11-20 >4±0,15°

Parametro elektrikoak

Dopatzailea

n motako nitrogenoa

Erresistentzia

0,015-0,025 ohm·cm

Parametro mekanikoak

Diametroa

150,0 ± 0,2 mm

Lodiera

350±25 μm

Orientazio lau nagusia

[1-100]±5°

Lehen mailako luzera laua

47,5±1,5 mm

Bigarren mailako pisua

Bat ere ez

TTV

≤5 μm

≤10 μm

≤15 μm

LTV

≤3 μm (5mm*5mm)

≤5 μm (5mm*5mm)

≤10 μm (5mm*5mm)

Arkua

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Warp

≤35 μm

≤45 μm

≤55 μm

Aurrealdeko (Si-aurpegia) zimurtasuna (AFM)

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Egitura

Mikrohodiaren dentsitatea

<1 ea/cm2

<10 ea/cm2

<15 ea/cm2

Metalezko ezpurutasunak

≤5E10atomo/cm2

NA

BPD

≤1500 ea/cm2

≤3000 ea/cm2

NA

TSD

≤500 ea/cm2

≤1000 ea/cm2

NA

Aurrealdeko Kalitatea

Aurrealdea

Si

Gainazaleko akabera

Si-face CMP

Partikulak

≤60ea/oblea (tamaina ≥0.3μm)

NA

Marradurak

≤5ea/mm. Luzera metatua ≤Diametroa

Luzera metatua≤2*Diametroa

NA

Laranja azala/hobiak/orbanak/striadurak/ pitzadurak/kutsadura

Bat ere ez

NA

Ertzaren txirbilak/koskak/hausturak/hexagonaleko plakak

Bat ere ez

Politipo eremuak

Bat ere ez

Azalera metatua≤% 20

Azalera metatua≤% 30

Aurrealdeko laser bidezko markaketa

Bat ere ez

Itzuli Kalitatea

Atzeko akabera

C-aurpegia CMP

Marradurak

≤5ea/mm, Luzera metatua ≤2*Diametroa

NA

Atzealdeko akatsak (ertz txirbilak/koskak)

Bat ere ez

Bizkarreko zakartasuna

Ra≤0.2nm (5μm*5μm)

Atzeko laser bidezko markaketa

1 mm (goiko ertzetik)

Ertza

Ertza

Txanflarra

Enbalajea

Enbalajea

Epi-prest hutsean ontziratzearekin

Ostia anitzeko kaseteen ontziratzea

*Oharrak: "NA" esan nahi du ez dagoela eskaerarik Aipatutako elementuek SEMI-STD-i erreferentzia egin dezakete.

tech_1_2_tamaina
SiC obleak

  • Aurrekoa:
  • Hurrengoa: