Silizio karburoa SiC molekula duen karburo sintetiko mota bat da. Energitzean, silizea eta karbonoa 2000 °C-tik gorako tenperatura altuetan sortzen dira normalean. Silizio-karburoak 3,18g/cm3-ko dentsitate teorikoa du, diamanteari jarraitzen dion Mohs-en gogortasuna eta 3300kg/mm3-ko mikrogogortasuna 9,2 eta 9,8 artean. Bere gogortasun handia eta higadura erresistentzia handia dela eta, tenperatura altuko erresistentzia ezaugarriak ditu eta higadura erresistenteak, korrosioarekiko erresistenteak eta tenperatura altuko hainbat pieza mekanikotarako erabiltzen da. Higadura-erresistentzia zeramikazko teknologia mota berria da.
1, Propietate kimikoak.
(1) Oxidazio-erresistentzia: silizio-karburoaren materiala airean 1300 º C-ra berotzen denean, silizio-dioxidoaren babes-geruza sortzen hasten da bere silizio-karburoaren kristalaren gainazalean. Babes-geruza loditzean, barneko silizio-karburoak oxidatzen jarraitzen du, silizio-karburoak oxidazio-erresistentzia ona izan dezan. Tenperatura 1900K (1627 º C) baino gehiago iristen denean, silizio dioxidoaren babes-filma kaltetzen hasten da eta silizio-karburoaren oxidazioa areagotu egiten da, beraz, 1900K da silizio-karburoaren lan-tenperatura atmosfera oxidatzaile batean.
(2) Azido eta alkali erresistentzia: silizio dioxidoaren babes-filmaren papera dela eta, silizio-karburoak propietateak ditu silizio dioxidoaren babes-filmaren paperean.
2、Propietate fisikoak eta mekanikoak.
(1) Dentsitatea: silizio karburozko kristal ezberdinen partikulen dentsitatea oso hurbila da, orokorrean 3,20 g/mm3 dela jotzen da, eta silizio karburo urratzaileen dentsitate naturala 1,2-1,6 g/mm3 artekoa da, partikulen tamainaren arabera. partikulen tamainaren konposizioa eta partikulen tamainaren forma.
(2) Gogortasuna: silizio karburoaren Mohs gogortasuna 9,2 da, Wessler-en mikro-dentsitatea 3000-3300 kg/mm2 da, Knopp-en gogortasuna 2670-2815 kg/mm da, urratzailea korindoa baino handiagoa da, diamantetik gertu, kubikoa. boro nitruroa eta boro karburoa.
(3) Eroankortasun termikoa: silizio karburozko produktuek eroankortasun termiko handia dute, hedapen termiko koefiziente txikia, kolpe termikoen erresistentzia handia eta kalitate handiko material erregogorrak dira.
3, Propietate elektrikoak.
| Elementua | Unitatea | Datuak | Datuak | Datuak | Datuak | Datuak |
| RBsic (sisic) | NBSiC | SSiC | RSiC | OSiC | ||
| SiC edukia | % | 85 | 76 | 99 | ≥99 | ≥90 |
| Doako silizio edukia | % | 15 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| Zerbitzuaren tenperatura maximoa | ℃ | 1380 | 1450 | 1650 | 1620 | 1400 |
| Dentsitatea | g/cm^3 | 3.02 | 2,75-2,85 | 3.08-3.16 | 2,65-2,75 | 2,75-2,85 |
| Porositate irekia | % | 0 | 13-15 | 0 | 15-18 | 7-8 |
| Tolesteko indarra 20 ℃ | Mpa | 250 | 160 | 380 | 100 | / |
| Tolesteko indarra 1200 ℃ | Mpa | 280 | 180 | 400 | 120 | / |
| Elastikotasun modulua 20 ℃ | Gpa | 330 | 580 | 420 | 240 | / |
| Elastikotasun modulua 1200 ℃ | Gpa | 300 | / | / | 200 | / |
| Eroankortasun termikoa 1200 ℃ | W/mk | 45 | 19.6 | 100-120 | 36.6 | / |
| Dilatazio termikoaren koefizientea | K^-lx10^-8 | 4.5 | 4.7 | 4.1 | 4.69 | / |
| HV | kg/m^m2 | 2115 | / | 2800 | / | / |
