SiC estalitako susceptor UV-LED sakonerako

SiC estalitako susceptor Deep UV-LED irudi aipagarrirako

Deskribapen laburra:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. zeramika erdieroale aurreratuen hornitzaile nagusia da. Gure produktu nagusiak honako hauek dira: silizio karburozko grabatutako diskoak, silizio karburozko itsasontzien atoiak, silizio karburozko ontziak (PV & Erdieroaleak), siliziozko karburozko labeko hodiak, silizio karburozko aldagelak, siliziozko karburozko portagailuak, siliziozko karburozko habeak, baita CVD SiC estaldurak eta TaC estaldurak.

Produktuak erdieroaleen eta fotovoltaikoen industrian erabiltzen dira batez ere, hala nola kristalen hazkundea, epitaxia, akuafortea, ontziratzea, estaldura eta difusio-labe-ekipoetan.

Bidali mezu elektronikoa

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

Deskribapena

Gure enpresak SiC estaldura-prozesuko zerbitzuak eskaintzen ditu CVD metodoaren bidez grafito, zeramika eta beste materialen gainazalean, karbonoa eta silizioa duten gas bereziek tenperatura altuan erreakzionatu dezaten, purutasun handiko SiC molekulak lortzeko, estalitako materialen gainazalean metatutako molekulak. SIC babes-geruza osatuz.

UV-LED-1

UV-LED-2

Ezaugarri nagusiak

1. Tenperatura altuko oxidazio-erresistentzia: oxidazio-erresistentzia oso ona da oraindik tenperatura 1600 C-rainokoa denean.
2. Garbitasun handia: tenperatura altuko klorazio-baldintzetan lurrun-jadapen kimikoen bidez egina.
3. Higadura erresistentzia: gogortasun handia, gainazal trinkoa, partikula finak.
4. Korrosioarekiko erresistentzia: azido, alkali, gatza eta erreaktibo organikoak.

CVD-SIC estalduraren zehaztapen nagusiak

SiC-CVD propietateak
Kristal Egitura	FCC β fasea
Dentsitatea	g/cm³	3.21
Gogortasuna	Vickers gogortasuna	2500
alearen tamaina	μm	2~10
Garbitasun kimikoa	%	99,99995
Bero Ahalmena	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimazio-tenperatura	℃	2700
Indar felesural	MPa (RT 4 puntu)	415
Gazteen Modulua	Gpa (4 puntuko bihurgunea, 1300 ℃)	430
Hedapen termikoa (CTE)	10-6K-1	4.5
Eroankortasun termikoa	(W/mK)	300