Semicerak tantalio karburoa (TaC) estaldura espezializatuak eskaintzen ditu hainbat osagai eta garraiolarirentzat.Semicera-ren estaldura-prozesu nagusiak tantalio karburoa (TaC) estaldurei garbitasun handia, tenperatura altuko egonkortasuna eta tolerantzia kimiko handia lortzeko aukera ematen die, SIC/GAN kristalen eta EPI geruzen produktuen kalitatea hobetuz (Grafitoz estalitako TaC susceptor), eta erreaktoreen osagai nagusien bizitza luzatzea. Tantalo karburoaren TaC estaldura erabiltzea ertzaren arazoa konpontzeko eta kristalen hazkuntzaren kalitatea hobetzeko da, eta Semicerak aurrerapausoa eman du tantalio karburoaren estalduraren teknologia (CVD), nazioarteko maila aurreratura iritsiz.
8 hazbeteko silizio karburoko (SiC) obleen sorrerarekin, hainbat prozesu erdieroaleen eskakizunak gero eta zorrotzagoak dira, batez ere epitaxia prozesuetarako, non tenperaturak 2000 gradu Celsius gaindi ditzaketenetan. Material suszeptore tradizionalak, hala nola siliziozko karburoz estalitako grafitoa, tenperatura altu horietan sublimatu ohi dira, epitaxia prozesua eten egiten dute. Hala ere, CVD tantalio karburoak (TaC) modu eraginkorrean aurre egiten dio arazo honi, 2300 gradu Celsius arteko tenperaturak jasaten eta bizitza luzeagoa eskaintzen du. Jarri harremanetan Semicera's TaC estaldura suszeptoreagure soluzio aurreratuei buruz gehiago arakatzeko.
Urteetako garapenaren ondoren, Semicerak teknologia konkistatu duCVD TaCI+G sailaren baterako ahaleginarekin. Akatsak erraz gertatzen dira SiC obleen hazkuntza-prozesuan, baina erabili ondorenTaC, aldea nabarmena da. Jarraian, TaC duten eta gabeko obleen konparaketa dago, baita kristal bakarreko hazkuntzarako Simicera' zatiak ere.
TaC-arekin eta gabe
TaC erabili ondoren (eskuinean)
Gainera, SemicerarenaTaC estalitako produktuakbizitza luzeagoa eta tenperatura altuko erresistentzia handiagoa erakusten duteSiC estaldurak.Laborategiko neurketek frogatu dute gureTaC estaldurak2300 gradu Celsius arteko tenperaturetan etengabe funtziona dezake denbora luzez. Jarraian, gure laginen adibide batzuk daude:
