Zerbitzu-bizitza luzea SiC estalitako grafito-eramailea eguzki-ostiarako

Deskribapen laburra:

Silizio karburoa zeramika mota berri bat da, kostu handiko errendimendua eta materialaren propietate bikainak dituena. Erresistentzia eta gogortasun handia, tenperatura altuko erresistentzia, eroankortasun termiko handia eta korrosio kimikoaren erresistentzia bezalako ezaugarriengatik, Silizio Karburoak ia medio kimiko guztiak jasan ditzake. Hori dela eta, SiC oso erabilia da petrolio-meatzaritzan, kimikan, makinetan eta aire-espazioan, nahiz eta energia nuklearrak eta militarrek beren eskakizun bereziak dituzte SIC. Eskain ditzakegun aplikazio normal batzuk ponpa, balbula eta babes-armadurarako zigilatzeko eraztunak dira.


Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

Abantailak

Tenperatura handiko oxidazio erresistentzia
Korrosioarekiko erresistentzia bikaina
Urradura erresistentzia ona
Bero eroankortasun koefiziente handia
Auto-lubrizitatea, dentsitate baxua
Gogortasun handia
Pertsonalizatutako diseinua.

HGF (2)
HGF (1)

Aplikazioak

- Higadura-erresistentea den Eremua: zuhaixka, plaka, harea-jotzeko pita, zikloiaren estalkia, artezteko upela, etab...
-Tenperatura altuko eremua: siC xafla, labea itzaltzeko hodia, hodi erradiatzailea, arragoa, berogailu-elementua, arrabola, habea, bero-trukagailua, aire hotzeko hodia, erregailuaren pita, termopare babesteko hodia, SiC itsasontzia, labearen autoaren egitura, ezartzailea, etab.
-Siliziozko Karburo Erdieroalea: SiC oblea itsasontzia, sic chuck, sic pala, sic kasetea, sic difusio-hodia, obleen sardexka, xurgatze-plaka, gidabidea, etab.
-Siliziozko karburozko zigiluaren eremua: zigilatzeko eraztunak, errodamenduak, bushing, etab.
-Eremu fotovoltaikoa: Cantilever Pala, Artezteko Kupela, Silizio Karburozko Arrabola, etab.
-Litiozko Bateria Eremua

Ostia (1)

Ostia (2)

SiC-ren propietate fisikoak

Jabetza Balioa Metodoa
Dentsitatea 3,21 g/cc Konketa-flotatzailea eta dimentsioa
Bero espezifikoa 0,66 J/g °K Laser flash pultsatua
Flexio-indarra 450 MPa560 MPa 4 puntuko bihurgunea, RT4 puntuko bihurgunea, 1300°
Hausturaren gogortasuna 2,94 MPa m1/2 Mikrokoskaketa
Gogortasuna 2800 Vickerrena, 500 g karga
Modulu elastikoaYoung-en Modulua 450 GPa430 GPa 4 pt bihurgunea, RT4 pt bihurgunea, 1300 °C
Alearen tamaina 2-10 µm SEM

SiC-ren propietate termikoak

Eroankortasun termikoa 250 W/m °K Laser flash metodoa, RT
Hedapen termikoa (CTE) 4,5 x 10-6 °K Giro-tenperatura 950 °C-ra, silize dilatometroa

Parametro Teknikoak

Elementua Unitatea Datuak
RBSiC (SiSiC) NBSiC SSiC RSiC OSiC
SiC edukia % 85 75 99 99.9 ≥99
Doako silizio edukia % 15 0 0 0 0
Zerbitzuaren tenperatura maximoa 1380 1450 1650 1620 1400
Dentsitatea g/cm3 3.02 2,75-2,85 3.08-3.16 2,65-2,75 2,75-2,85
Porositate irekia % 0 13-15 0 15-18 7-8
Tolesteko indarra 20 ℃ Мpa 250 160 380 100 /
Tolesteko indarra 1200 ℃ Мpa 280 180 400 120 /
Elastikotasun modulua 20 ℃ Gpa 330 580 420 240 /
Elastikotasun modulua 1200 ℃ Gpa 300 / / 200 /
Eroankortasun termikoa 1200 ℃ W/mK 45 19.6 100-120 36.6 /
Dilatazio termikoaren koefizientea K-1X10-6 4.5 4.7 4.1 4.69 /
HV Kg/mm2 2115 / 2800 / /

CVD silizio karburozko estaldura birkristalizatutako silizio karburoko zeramikazko produktuen kanpoko gainazalean% 99,9999 baino gehiagoko garbitasunera irits daiteke erdieroaleen industriako bezeroen beharrak asetzeko.

Semicera Lantokia
Semicera lantokia 2
Ekipamendu-makina
CNN prozesatzea, garbiketa kimikoa, CVD estaldura
Gure zerbitzua

  • Aurrekoa:
  • Hurrengoa: