InP eta CdTe Substratua

Deskribapen laburra:

Semiceraren InP eta CdTe Substrate irtenbideak erdieroaleen eta eguzki energiaren industrian errendimendu handiko aplikazioetarako diseinatuta daude. Gure InP (Indio Fosfuroa) eta CdTe (Kadmio Telururoa) substratuek materialaren propietate apartak eskaintzen dituzte, besteak beste, eraginkortasun handia, eroankortasun elektriko bikaina eta egonkortasun termiko sendoa. Substratu hauek gailu optoelektroniko aurreratuetan, maiztasun handiko transistoreetan eta film meheko eguzki-zeluletan erabiltzeko aproposak dira, abangoardiako teknologietarako oinarri fidagarria eskainiz.


Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

SemicerarekinInP eta CdTe Substratua, zure fabrikazio prozesuen behar espezifikoak asetzeko kalitate eta doitasun handiagoa espero dezakezu. Aplikazio fotovoltaikoetarako edo gailu erdieroaleetarako, gure substratuak errendimendu, iraunkortasun eta koherentzia optimoak bermatzeko eginak dira. Hornitzaile fidagarri gisa, Semicerak elektronika eta energia berriztagarrien sektoreetan berrikuntza bultzatzen duten kalitate handiko substratu soluzio pertsonalizagarriak eskaintzeko konpromisoa hartu du.

Propietate kristalinoak eta elektrikoak1

Mota
Dopatzailea
EPD (cm–2)(Ikus behean A.)
DF (akatsik gabekoa) azalera (cm2, Ikus behean B.)
c/(c cm–3
Mugikortasuna (y cm2/Vs)
Erresistentzia (y Ω・cm)
n
Sn
≦5×104
≦1×104
≦5×103
──────
 

(0,5〜6)×1018
──────
──────
n
S
──────
≧ 10 (% 59,4)
≧ 15(%87).4
(2〜10)×1018
──────
──────
p
Zn
──────
≧ 10 (% 59,4)
≧ 15(%87).
(3〜6)×1018
──────
──────
SI
Fe
≦5×104
≦1×104
──────
──────
──────
≧ 1×106
n
bat ere ez
≦5×104
──────
≦1×1016
≧ 4×103
──────
1 Beste zehaztapen batzuk eskatuz gero eskuragarri daude.

A.13 Puntu Batez bestekoa

1. Dislokazio-grabatu hobiaren dentsitateak 13 puntutan neurtzen dira.

2. Dislokazio-dentsitateen azalera haztatuta batez bestekoa kalkulatzen da.

B.DF Eremuaren Neurketa (Eremu Bermearen kasuan)

1. Eskuinean agertzen diren 69 puntuko dislokazio-grabazio-hobiaren dentsitateak zenbatzen dira.

2. DF 500 cm-tik beherako EPD gisa definitzen da–2
3. Metodo honen bidez neurtutako DF azalera maximoa 17,25 cm-koa da2
InP eta CdTe Substratua (2)
InP eta CdTe Substratua (1)
InP eta CdTe Substratua (3)

InP kristal bakarreko substratuak zehaztapen komunak

1. Orientazioa
Gainazalaren orientazioa (100)±0,2º edo (100)±0,05º
Gainazaleko orientazioa eskatuta dago eskuragarri.
Pisuaren orientazioa OF: (011)±1º edo (011)±0,1º IF: (011)±2º
Cleaved OF eskuragarri dago eskaeran.
2. SEMI estandarrean oinarritutako laser markaketa eskuragarri dago.
3. Banakako paketea, baita N2 gaseko paketea ere eskuragarri daude.
4. Etch-and-pack N2 gasean eskuragarri dago.
5. Obleak angeluzuzenak daude eskuragarri.
Goiko zehaztapena JX' estandarra da.
Beste zehaztapen batzuk behar badira, mesedez galdetu iezaguzu.

Orientazioa

 

InP eta CdTe Substratua (4)(1)
Semicera Lantokia
Semicera lantokia 2
Ekipamendu-makina
CNN prozesatzea, garbiketa kimikoa, CVD estaldura
Semicera Biltegia
Gure zerbitzua

  • Aurrekoa:
  • Hurrengoa: