CVD Silizio Karburoa (SiC) Etching Ring Silizio Karburoz (SiC) egindako osagai berezi bat da, Lurrun Kimikoen Deposizioa (CVD) metodoa erabiliz. CVD Silizio Karburoa (SiC) Etching Eraztunak funtsezko eginkizuna betetzen du hainbat aplikazio industrialetan, batez ere materialen grabaketa dakarten prozesuetan. Silizio karburoa zeramikazko material bakarra eta aurreratua da, bere propietate bikainengatik ezaguna, besteak beste, gogortasun handia, eroankortasun termiko bikaina eta ingurune kimiko gogorekiko erresistentzia.
Lurrun Kimikoen Deposizio-prozesuak SiC-ko geruza mehe bat substratu batean jalkitzea dakar ingurune kontrolatu batean, garbitasun handiko eta zehatz-mehatz diseinatutako materiala lortuz. CVD Silizio Karburoa mikroegitura uniforme eta trinkoagatik, erresistentzia mekaniko bikainagatik eta egonkortasun termiko hobeagatik ezaguna da.
CVD Silizio Karburoa (SiC) Etching Ring CVD Silizio Karburoz egina dago, iraunkortasun bikaina bermatzen ez ezik, korrosio kimikoari eta muturreko tenperatura aldaketei aurre egiten die. Horrek zehaztasuna, fidagarritasuna eta bizitza funtsezkoak diren aplikazioetarako aproposa da.
✓Kalitate goreneko Txinako merkatuan
✓Zerbitzu ona beti zuretzat, 7*24 orduetan
✓Bidalketa data laburra
✓ MOQ txikia ongi etorria eta onartua
✓Zerbitzu pertsonalizatuak
Epitaxia Hazkunde Susceptor
Silizio/silizio karburoko obleek hainbat prozesu igaro behar dituzte gailu elektronikoetan erabiltzeko. Prozesu garrantzitsu bat silizio/sic epitaxia da, zeinean silizio/sic obleak grafitozko oinarri baten gainean eramaten diren. Semiceraren silizio-karburoz estalitako grafito-oinarriaren abantaila bereziek garbitasun oso handia, estaldura uniformea eta bizitza oso luzea dira. Erresistentzia kimiko eta egonkortasun termiko handia ere badute.
LED Txip Ekoizpena
MOCVD erreaktorearen estaldura zabalean, oinarri planetarioak edo garraiatzaileak substratu-ostia mugitzen du. Oinarrizko materialaren errendimenduak eragin handia du estalduraren kalitatean, eta horrek txiparen txatarra-tasa eragiten du. Semiceraren siliziozko karburoz estalitako oinarriak kalitate handiko LED obleen fabrikazio-eraginkortasuna areagotzen du eta uhin-luzeraren desbideratzea gutxitzen du. Gaur egun erabiltzen ari diren MOCVD erreaktore guztietarako grafitozko osagai osagarriak ere hornitzen ditugu. Ia edozein osagai siliziozko karburozko estaldura batekin estali dezakegu, nahiz eta osagaien diametroa 1,5 M-koa izan, oraindik silizio karburoz estali dezakegu.
Eremu Erdieroalea, Oxidazio Hedapen Prozesua, etab.
Erdieroaleen prozesuan, oxidazio-hedapen-prozesuak produktuaren garbitasun handia eskatzen du, eta Semiceran estaldura pertsonalizatua eta CVD-ko zerbitzuak eskaintzen ditugu silizio karburozko pieza gehienentzat.
Hurrengo irudian Semicearen silizio-karburozko minda zakar-prozesatua eta 100ean garbitzen den silizio-karburoko labe-hodia erakusten da.0-mailahautsik gabekoagela. Gure langileak estali aurretik lanean ari dira. Gure silizio karburoaren garbitasuna % 99,99ra irits daiteke eta sic estalduraren garbitasuna % 99,99995 baino handiagoa da.
Silizio karburo gordinaren paleta eta SiC prozesuko hodia garbiketan
Siliziozko karburoko ostia CVD SiC estalitako itsasontzia
