Gure enpresak eskaintzen duSiC estalduraProzesatu zerbitzuak grafito, zeramika eta beste materialen gainazalean CVD metodoaren bidez, karbonoa eta silizioa duten gas bereziek tenperatura altuan erreakzionatu ahal izateko, purutasun handiko Sic molekulak lortzeko, material estalien gainazalean metatu daitezkeenak bat sortzeko.SiC babes-geruzaepitaxia upel mota hy pnotic.
Ezaugarri nagusiak:
1 .Araztasun handiko SiC estalitako grafitoa
2. Beroarekiko erresistentzia eta uniformetasun termikoa
3. OndoSiC kristalez estalitagainazal leun baterako
4. Iraunkortasun handia garbiketa kimikoen aurka
-ren zehaztapen nagusiakCVD-SIC Estaldura
| SiC-CVD propietateak | ||
| Kristal Egitura | FCC β fasea | |
| Dentsitatea | g/cm³ | 3.21 |
| Gogortasuna | Vickers gogortasuna | 2500 |
| alearen tamaina | μm | 2~10 |
| Garbitasun kimikoa | % | 99,99995 |
| Bero Ahalmena | J·kg-1 ·K-1 | 640 |
| Sublimazio-tenperatura | ℃ | 2700 |
| Indar felesural | MPa (RT 4 puntu) | 415 |
| Gazteen Modulua | Gpa (4 puntuko bihurgunea, 1300 ℃) | 430 |
| Hedapen termikoa (CTE) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Eroankortasun termikoa | (W/mK) | 300 |
