Silizio-karburozko palan-kantilever

Deskribapen laburra:

Silizio karburozko paleta, siliziozko karburozko pala dezente bezala ere ezaguna, siliziozko karburozko habea siliziozko karburozko zeramikazko produktu mota bat da 1850 ondoren.℃tenperatura altuko sinterizazioa, baina tenperatura altuko sinterizazioa silizio karburo zeramika zeramikazko produktu berezi bat da, partikula finezα-SiC eta gehigarriak hutsune batean sakatuta, tenperatura altuan silizio likidoarekin kontaktuan, hutsean karbonoa eta Si erreakzioaren infiltrazioa, eraketa.β-SiC,Eta α-SiC-rekin konbinatuta, silizio libreak porositatea bete zuen, dentsitate handiko zeramikazko materialak lortzeko; Zeramika industrialaren hainbat propietate nagusi ditu.

Bidali mezu elektronikoa

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

SiC Cantilever palaindustria fotovoltaikoko difusio-estaldura-labean erabiltzen ari da silizio monokristalino eta polikristalino obleak estaltzeko. Bere ezaugarriak tenperatura altuak eta korrosioa jasateko aukera ematen du, eta bizitza luzea ematen dio.
TheSiC Cantilever palaSiC ontziak / kuartzozko ontziak eskaintzen ditu, tenperatura altuko difusio-estaldura-labearen hodira siliziozko obleak eramaten dituztenak.
Gure luzeraSiC Cantilever pala1.500 eta 3.500 mm bitartekoa da.SiC Cantilever padelakdimentsioa neurrira egin daiteke bezeroaren zehaztapenen arabera.

Silizio Karburo Birkristalizatuaren propietate fisikoak
Jabetza	Balio Tipikoa
Laneko tenperatura (°C)	1600 °C (oxigenoarekin), 1700 °C (ingurune murriztea)
SiC edukia	> %99,96
Doako Si edukia	<% 0,1
Solteko dentsitatea	2,60-2,70 g/cm³
Itxurazko porositatea	<% 16
Konpresioaren indarra	> 600 MPa
Hotza makurtzeko indarra	80-90 MPa (20 °C)
Makurtze-indarra beroa	90-100 MPa (1400 °C)
Hedapen termikoa @1500°C	4,70 10^-6/°C
Eroankortasun termikoa @1200°C	23 W/m•K
Modulu elastikoa	240 GPa
Shock termikoen erresistentzia	Oso ona